该系列巨磁电阻传感器内部采用惠斯通电桥结构设计，磁阻单元基于自旋阀巨磁阻材料，当外加磁场时，引起电桥电阻元件的变化，导致电桥输出端的电压产生相应的变化，即传感器的输出电压变化量与外加磁场强度成正比。该系列传感器输出为模拟信号，根据施加磁场的正负方向不同，该类传感器输出的电压信号具有正负不同的值，典型输出曲线为下图所示。
          该系列传感器饱和场高，因此测量范围比较宽，另外线性度好、功耗低、采用超小型尺寸封装。可作为位置传感器、速度传感器、电流传感器，广泛应用于工业控制、汽车电子、消费电子等领域。

 传感器输出曲线
横轴为所加磁场（mT）；纵轴为输出电压（mV）。